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1.生产能力：喷雾蚀刻具有高效率，速度快，精度高，其适用于特定的大规模生产。生产容易实现自动控制，但设备投资大，并且它不适合用于蚀刻异型工件和大型工件;蚀刻设备，侵入气泡具有小的投资，并且易于蚀刻和各种工件。
将金属浸泡或是喷洒适当的酸性溶剂可以使其腐蚀，若先使用耐酸性物质将局部金属遮蔽保护之後再浸泡酸性溶剂，则能够使金属表面仅产生局部的移除而得到我们所事先设计的图案，这就是一般蚀刻的作法。
电泳：最常见的是不锈钢，其具有的色彩丰富，附着力强，和高硬度的特性。电泳是相反电极的带电粒子（色）的电场的作用下的移动。
金属蚀刻的定义：蚀刻（蚀刻）也被称为金属腐蚀，或光化学蚀刻。它是使用光化学反应，以除去金属材料的技术。这是冲压工艺的延伸，是一个比较专业的蚀刻实现。
EDM冲压也被称为电子冲压。对于一个小数量的孔，例如2个或5个孔，它可用于，主要用于模压等操作，所以它不能大量生产。其中不锈钢孔是更好？
可以理解的是在芯片的整个制造工艺极为复杂，包括晶片切割，涂覆，光刻，蚀刻，掺杂，测试等工序。腐蚀是在整个复杂的过程，唯一的过程。从技术的观点来看，R＆d光刻机是最困难的，并且所述蚀刻机的难度相对较低。蚀刻机的精度水平现在远远??超过光刻机的，所以与当前的芯片的最大问题是不蚀刻精度，但是光刻精度，换言之，芯片制造技术水平决定了光刻机。
很多人都应该知道，台积电作为芯片厂商，目前正试图大规模生产5nm的芯片。除了依靠荷兰Asmard的EUV光刻机上，生产5nm的芯片还需要由中国提供的5纳米刻蚀机。
由于华为只有在这个阶段，在集成IC设计阶段参与，它不具备生产集成的IC的能力。应当理解的是，集成IC必须经过处理，诸如光刻，蚀刻，扩散，薄膜，并测量从概念设计到批量生产。在光刻技术环节，集成IC制造商必须使用光刻机的核心专用设备目前由ASML垄断。
蚀刻精度通常是直接关系到该材料的厚度，并且通常是成比例的。例如，当厚度为0.1mm的材料的蚀刻精确度为+/-0.01毫米，厚度为0.5mm的材料的蚀刻精度为+/- 0.05毫米，和所使用的材料的蚀刻精度为1 / -0.1毫米。不锈钢蚀刻加工特性：1.低开模成本，蚀刻加工可以根据设计者的要求可以任意改变，并且成本低。 2.金属可实现，从而提高了公司的标志和品牌转型，实现半切割。 3.非常高的精度，精度最高可达到+/-0.01毫米，以满足不同产品的装配要求。 4.具有复杂形状的产品，也可以在不增加成本的蚀刻。 5.在没有毛刺和压力点，产品将不会发生变形，材料性质不会改变，并且该产品的功能不会受到影响。 6.厚和薄的材料可以以相同的方式，以满足不同的组装的部件的要求进行处理。 7.几乎所有的金属被蚀刻，并且有各种图案的设计没有限制。 8.各种金属部件的制造可以没有机械处理来完成。
由R蚀刻深度影响弧的尺寸的上述比例，蚀刻窗的蚀刻深度，蚀刻溶液的最小宽度，蚀刻方法和物质组合物的类型。侧面蚀刻的量决定化学蚀刻的精确性。较小的侧蚀刻，加工精度，和更宽的应用范围。相反，处理精度低，以及适用的范围是小的。的底切的量主要受金属材料。金属材料通常用于铜，其具有至少侧腐蚀和铝具有最高的侧腐蚀。选择一个更好的蚀刻剂，虽然在蚀刻速度的增加并不明显，它可以确实提高在侧金属蚀刻工艺蚀刻的量。
通常被称为光化学蚀刻（人蚀刻）是指其中待蚀刻的区域暴露于制版和显影后的曝光区域的面积;和蚀刻到达通过与化学溶液接触造成的，从而形成不均匀的或中空的生产的影响的溶解和腐蚀。
如图1-20中所示，药液罐的相应的腐蚀宽度应该是4毫米，加上2倍或略深腐蚀深度，化学腐蚀槽的最大深度一般应约为12毫米，因为在这种情况下，即使??槽面积是因为用约y的宽度的防腐蚀膜的大，它会悬垂像裙子，这将不可避免地导致气泡的积累，使槽与山区被称为周围的外围质量参差不齐的缺陷。当腐蚀深度达到一定的深度，即使部件或搅拌的溶液被大大干扰，不可能完全消除气泡的积累，但也有能够保持足够的灵活性，一些新的防腐蚀层。你可以做出最好的气泡，并立即跑开。这是克服深腐蚀水箱的这一缺点的简单和容易的方法。