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蚀刻主要分为正面和背面阶段。前级一般为硅和硅化合物的蚀刻，后阶段主要是金属和电介质的蚀刻。
对于0.1毫米材料，特别要注意在预蚀刻过程中，如涂覆和印刷，这是因为材料的尺寸也影响产品的最终质量。该材料的尺寸越大，越容易变形。如果材料的尺寸太小，它可能会卡在机器中。
对于小的扁平工件，丝网印刷，可直接使用，以完成涂层的方法，但对于大的地区，不能被丝网印刷只能直接涂覆并在工件的表面上显影的产品。该油过滤器是由不锈钢蚀刻过程，这是一个相对耐久的过滤材料。油过滤器的功能是过滤在油提取过程中的污泥，这是在石油工业中不可缺少的产品。在正常情况下，单井和正常生产，必须输入到一个集中的生产工具中转站，然后运到新井。不锈钢油过滤器具有以下性能特点：
蚀刻过程：处理直到铸造或浸渍药物与药物接触，使得仅露出部分溶解，并在露出的模具中取出。所使用的溶液是酸性水溶液，并且将浓度稀释至可控范围。浓度越厚，温度越高，越快蚀刻速度和较长的蚀刻溶液和处理过的表面，更大的蚀刻量。当药物被蚀刻，并加入到整个模具时，药物之间的接触时间以水洗涤，然后中和用碱性水溶液和最后完全干燥。腐蚀完毕之后，模具无法发货。用于掩蔽操作的涂层或带必须被去除，并且蚀刻应检查均匀性。例如，蚀刻导致必须修理不平坦的焊接或模具材料。如有必要，从涂覆的图案除去的蚀刻表面，只留下未处理的表面作为掩模，然后执行光刻或酸洗操作，或执行喷砂使被腐蚀的表面均匀且有光泽。
在紫铜的微量杂质对铜的导电和导热性造成严重影响。其中，钛，磷，铁，硅等显著降低导电性，而镉，锌等的影响不大。氧，硫，硒，碲等具有在铜小的固体溶解度，并能与铜，其具有对导电性的影响很小脆性化合物形成，但是可以减少处理的可塑性。当普通红铜在含氢气或一氧化碳，氢或一氧化碳的还原性气氛中加热很容易降低到在晶界氧化亚铜（氧化亚铜）的相互作用时，可产生高压水蒸汽或二氧化碳气体，这可以破解铜。这种现象通常被称为铜的“氢病”。氧气是有害的铜的可焊性。铋或铅和铜形成低熔点共晶，这使得铜热和变脆;并且当脆性铋分布在薄膜的晶界，这也使得铜冷而脆。磷能显著降低铜的导电性，但它可以增加铜液的流动性，提高可焊性。铅，碲，硫等的适当量可以提高切削性。退火的铜板材的室温拉伸强度为22-25千克力/平方毫米，并且伸长率为45-50？和布氏硬度（HB）是35?45。
中国微半导体的刻蚀机技术的突破给了我们更大的鼓励，而且还采取了对中国芯片的发展又向前迈出了一步，因为高端芯片先进的蚀刻机是不可缺少的一部分。
在蚀刻过程中，存在除了整体蚀刻方法没有防腐蚀处理。我们一定要注意防腐蚀层，也就是我们常说的下侧腐蚀“蔓延”。底切的大小直接相关的图案的准确度和蚀刻线的极限尺寸。一般地，抗腐蚀层下的横向蚀刻宽度A被称为侧蚀刻量。侧蚀刻量A的蚀刻深度H之比的蚀刻速率F侧：
取出后，如果需要高亮度，可以停止抛光，然后停止染色。为了避免变色和改善染色后的耐磨损性和耐腐蚀性，该清漆可喷涂。有些金属具有良好的耐腐蚀性和不染色，并且还可以与不透明颜料根据实际需要进行彩绘。
可以理解的是在芯片的整个制造工艺极其复杂，包括晶片切割，涂覆，光刻，蚀刻，掺杂，测试等工序。腐蚀是唯一一个在整个复杂的过程的过程。从技术的角度来看，R＆d光刻机是最困难的，和蚀刻机的难度相对较低。现在蚀刻机的精度水平远远超过了光刻机的，所以现在的芯片是最大的问题并不在蚀刻精度，但在光刻精度，换句话说，芯片制造的技术水平所决定光刻机。
干法蚀刻也是目前主流的蚀刻技术，该技术是由等离子体干法蚀刻为主。光刻仅使图案上的光刻胶，但在硅晶片上没有图案，所以干蚀刻等离子体用于蚀刻硅晶片。