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蚀刻主要分为正面和背面阶段。第一阶段通常是硅和硅化合物的蚀刻，而后者阶段主要是金属和电介质的蚀刻。
因此，中国科学技术的5纳米刻蚀机的进入台积电的生产线是我国的芯片制造工艺的重大突破。这是一个具有重大意义，但“在弯道超车”的言论有点夸张和早产。
曝光是在金属蚀刻工艺的一个特别重要的项目。曝光的质量直接影响到产品的质量。曝光的质量蚀刻后直接影响到产品的精度。对于超精密的产品，即使是轻微的偏差精确度是太糟糕了。因此，曝光设备和技术人员也对质量控制的关键点。由易格硬件使用的曝光机进口精密设备。曝光运营商有15年的技术经验。设备和人员都在硬件的蚀刻和曝光工艺中使用。能保证产品的质量。
PP:是聚丙烯，是一种半结晶的热塑性塑料。具有较高的耐冲击性，机械性质强韧，抗多种有机溶剂和酸碱腐蚀。在工业界有广泛的应用，是平常常见的高分子材料之一。澳大利亚的钱币也使用聚丙烯制作。
蚀刻处理剂是氯化铁溶液。波美浓度值是在蚀刻过程中非常关键的，并且可直接影响蚀刻过程的速度。合适的波美浓度值度38和40之间。
该晶片用作氢氟酸和HNO 3，并且晶片被用作氢氟酸和NH4F氧化硅：蚀刻剂的选择是根据不同的加工材料确定，例如。当集成电路被化学蚀刻，被蚀刻的切口的几何形状不是从在航空航天工业的几何切削通过化学蚀刻不同。然而，它们之间的蚀刻深度差异是几个数量级，且前者小于1微米。然后，它可以达到几毫米，甚至更深。
因此，我们需要的是一种物质，不会弯曲和腐蚀金属表面。这是什么？答案是“光”。它不能弯曲，因此它会腐蚀平坦金属表面。当然，“光”这里是不是真正的光，而是一种等离子体的，这是通过在金属表面蚀刻。