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这种腐蚀是沿着晶界或者在其近旁发生，所以称之为晶间腐蚀。关于晶间腐蚀的成因，普遍认为是由晶界与相邻晶粒之间的电位差造成的。以AI-Cu-Mg合金为例，在时效脱溶之后，晶界有一条无沉淀带，含Cu较少，电位较负，构成阳极相。晶粒内含Cu较高，电位较正，构成了阴极相。在腐蚀过程中，电位较负的贫Cu区将被优先腐蚀，并随着铝的溶解，晶粒中孤立的Cu也随之进人溶液，尤其是阴极相中铝的溶解使Cu直接进人溶液，生成Cu2十。由于Cu2+的氧化还原电位很正(相对于铝的电位)，所以会在铝表面的阴极区还原析出，这种析出过程称之为二次沉淀。