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从图5 -3巾可以看出，存一个较宽的溶铜范围内，添加NH4CL溶液，蚀刻速度较快，这与铵能与铜生成铜铵络离子有很关系。但是这种溶液随着温度的降低，溶液中会有一些铜铵氯化物结晶(CuCI2·2NH4cL)沉淀。向添加NaCI溶液．蚀刻速度接近添加盐酸溶液的蚀刻速度，因此通常在喷淋蚀刻中多选用盐酸和NaCI这两种氯化物。但是在使用NaCI时，随着蚀刻的进行，溶液PH值会增高，导致溶液叶中CuCL2的水解变混浊，在这种蚀刻液中维持定的酸度是很重要的。
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现在出现在市场1所述的自动化学蚀刻机使用高压喷雾和蚀刻板的直线运动，以形成一个连续的和不间断的馈送状态腐蚀工件以提高生产效率; 2.？蚀刻和蚀刻所述金属板的均匀性比??蚀刻的有效区域中的改善的蚀刻效果，速度和操作者的环境和便利性方面更好; 3.经过反复实验，喷雾压力为1-2KG /厘米2。上待蚀刻的工件的剩余蚀刻污渍可以被有效地除去，从而使蚀刻速度在传统的蚀刻方法大大提高。由于蚀刻机液体可以再循环和使用，该产品可以大大减少蚀刻的成本和实现环保处理的要求。
?本公司秉着“信誉、品质第一，顾客至上”的宗旨，不断努力于高新技术新工艺的改良。能够蚀刻各种金属如不锈钢、铜、铝、镍、铁、锌等，并根据不同硬度的材质来调整工艺，进行精密蚀刻加工。材料厚度范围0.03-1.0mm，并且可以来料加工不锈钢。
5.蚀刻过程防止氨的过度挥发。因为铜的蚀刻过程中，氨和氯化铵期间需要时被溶解之后被连续地补充。氮的波动是非常大的，并且使用主板时，它不应该挥发过快，抽吸力不宜过大。当药水的消耗量增加，你一定要记得关闭阀门，如抽避免浪费氨徒劳的。
它可以被想象为垂直硅晶片上大雨，没有光致抗蚀剂保护的硅晶片将待轰击，这相当于在硅晶片中的孔或槽挖，和光致抗蚀剂可以是完成蚀刻后的湿。洗去，所以你得到一个图案的硅晶片。
1、根据用途分类，刨刀可分为平面刨刀、切刀、偏刀、弯头刨槽刀、内孔弯头刨刀和成形刨刀等。(1)平面刨刀：用于粗、精刨平面。(2)偏刀：用
与此同时，刚过刻蚀机被批准台积电，中国微半导体公司最近接到一个大订单。国内仓储公司长江寄存立即购买9个刻蚀机来自中国微半导体公司。