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4)蚀刻液的PH值：碱性蚀刻液的PH值较高时，侧蚀增大。峁见图10-3为了减少侧蚀，一般PH值应控制在8.5以下。
有金属的两种主要方式根据与溶液中的工件接触的形式蚀刻，即喷雾的蚀刻和蚀刻的气泡。以下两个原则被用于选择蚀刻方法。
聚乙烯抗多种有机溶剂，抗多种酸碱腐蚀，但是不抗氧化性酸，例如硝酸。在氧化性环境中聚乙烯会被氧化。 聚乙烯在薄膜状态下可以被认为是透明的，但是在块状存在的时候由于其内部存在大量的晶体，会发生强烈的光散射而不透明。聚乙烯结晶的程度受到其枝链的个数的影响，枝链越多，越难以结晶。聚乙烯的晶体融化温度也受到枝链个数的影响，分布于从90摄氏度到130摄氏度的范围，枝链越多融化温度越低。聚乙烯单晶通常可以通过把高密度聚乙烯在130摄氏度以上的环境中溶于二甲苯中制备。
2)蚀刻液的种类：不同的蚀刻液化学组分不同，其蚀刻速率就不同，蚀刻系数也不同。例如：酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3，碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明，以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀，达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。
（3）研磨处理。该部分将暴露于化学蚀刻溶液中以获得该部分的特定形状或尺寸，并实现三维和装饰不锈钢材料研磨过程。使用丝网印刷，文本，图案和设计可以化学研磨到不锈钢表面的一定深度，然后填充有某些不同的颜色，如奖章，标牌和铭牌。腐蚀：腐蚀部门收到膜和工作序列，证实了板的厚度和材料的类型，然后打印并暴露膜。最后，将药水处理后，将模具的原型被揭示。如果曝光做得不好，这个模式需要在进入腐蚀机前进行修复。它可以被取出后符合要求，清洗液和焦炭，它可以被发送到下一个部门，这是模具粗加工部门的腐蚀部门。
在此，所述铜合金的蚀刻被用作一个例子来说明它的处理流程的固有性质。用于蚀刻的铜合金的方法包括：安装*脱脂，水洗，酸洗，水洗，微粗糙化叶洗涤*酸洗涤和抗氧化处理，水洗，干燥，皇家挂，抗腐蚀层生产*预装叶悬蚀刻*洗涤pickling'washing。检查和蚀刻洗涤“酸洗*洗涤·干燥*宇航，检查刀片包装库。以上是图案化的铜合金的蚀刻的基本处理流程。从处理点，整个蚀刻过程已被写入信息，但是这其是不够的，因为只有具体细节的操作过程中写到这里。是的，步骤和步骤的顺序都没有给出，那就是，有在这个过程中没有任何解释。显然，此时的过程是不可操作和每个步骤需要详细解释。这些描述包括温度，时间，所需要的设备，含有流体的组合物，以及所需的技能和操作者的责任。称心。有了这些实际的说明中，操作者可以根据自己的描述进行操作。因此，每一步必须的详细制备过程文档中进行说明。例如，对于脱脂和洗涤的描述要求如下。
这是促进和所有腐蚀性条件，这导致催化工艺下点蚀坑下保持。 2.腐蚀氧化铝膜的，即使它可以溶解在磷酸和氢氧化钠溶液，即使发生腐蚀，溶解速率是均匀的。为一体的集成解决方案的温度升高时，溶质的浓度在它增加，这促进了铝的腐蚀。 3.缝隙腐蚀缝隙腐蚀局部腐蚀。当在电解质溶液中时，形成在电解质溶液中的金属和金属或金属和非金属之间的间隙。金属部件的宽度足以浸没介质，并把介质在停滞状态。在间隙加速腐蚀的现象被称为缝隙腐蚀。铝合金4.应力腐蚀开裂（SCC）SCC是在30年代初发现的。
由于华为只有在这个阶段，在集成IC设计阶段参与，它不具备生产集成的IC的能力。应当理解的是，集成IC必须经过处理，诸如光刻，蚀刻，扩散，薄膜，并测量从概念设计到批量生产。在光刻技术环节，集成IC制造商必须使用光刻机的核心专用设备目前由ASML垄断。
铝合金4.应力腐蚀开裂（SCC）SCC是30在早年找到。应力（拉伸应力或内应力）和腐蚀性介质的这种组合被称为SCC。该SCC特征是腐蚀机械开裂，其可以沿晶界或沿通过扩散或发展的晶粒形成。因为裂纹的扩展是金属的内部，所述金属结构的强度大大降低，并且在严重的情况下，可能会出现突然损坏。
常见类型的蚀刻铝的有：1点蚀，也被称为点蚀，由金属制成的，其产生针状，坑状局部腐蚀图案，并且空隙。点蚀是阳极反应的唯一形式。这是促进和所有腐蚀性条件，这导致催化工艺下点蚀坑下保持。 2.腐蚀氧化铝膜的，即使它可以溶解在磷酸和氢氧化钠溶液，即使发生腐蚀，溶解速率是均匀的。为一体的集成解决方案的温度升高时，溶质的浓度在它增加，这促进了铝的腐蚀。 3.缝隙腐蚀缝隙腐蚀局部腐蚀。