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很多人都应该知道，台积电作为芯片厂商，目前正试图大规模生产5nm的芯片。除了依靠荷兰Asmard的EUV光刻机上，生产5nm的芯片还需要由中国提供的5纳米刻蚀机。
在蚀刻工艺期间，存在除了整体蚀刻方法没有防腐蚀处理。我们一定要注意防腐蚀层，这就是我们常说的下侧的耐腐蚀性的“蔓延”。底切的大小直接相关的图案的准确度和蚀刻线的极限尺寸。一般地，抗腐蚀层下的横向蚀刻宽度A被称为侧蚀刻量。侧蚀刻量A的蚀刻深度H之比的蚀刻速率F侧：
如果我们落后，我们就要挨打。中国技术的不断发展壮大，使我们在世界上站稳脚跟。花了11年国产刻蚀机通过5个纳米，这意味着中国的半导体技术有了长足的进步终于成功破发。
3)蚀刻速率：蚀刻速率慢会造成严重侧蚀。蚀刻质量的提高与蚀刻速率的加快有很大关系。蚀刻速度越快，板子在蚀刻液中停留的时间越短，侧蚀量越小，蚀刻出的图形清晰整齐。
因此，中国科学技术的5纳米刻蚀机的进入台积电的生产线是我国的芯片制造工艺的重大突破。这是一个具有重大意义，但“在弯道超车”的言论有点夸张和早产。