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应力（拉伸应力或内应力）和腐蚀性介质的这种组合被称为SCC。所述SCC的特征是腐蚀机械开裂，其可以沿晶界或沿颗粒通过扩散或发展而发展而形成。因为裂纹的扩展是金属的内部，所述金属结构的强度大大降低，并且在严重的情况下，可能会出现突然损坏。在蚀刻工艺期间暴露的原理的简要分析：在预定位片和工件需要被暴露于光，所述图案通过喷涂光或转移转移到薄膜的表面并蚀刻到两个相同的薄膜通过光刻两个。相同的玻璃膜。然后东方影视对准并通过手工或机器进行比较。然后，在其中感光墨涂覆有膜或钢板的感光性干膜吸入并曝光，然后粘贴。在曝光期间，对应于该膜中的黑钢板不暴露于光，并且对应于该白色膜的钢板暴露于光，而在曝光区域中的油墨或干膜聚合。最后，通过显影机后，在钢板上的光敏油墨或干膜不被显影剂熔化，和未致敏油墨或干膜熔化和除去在显影溶液中，使得图案被蚀刻，并转移通过暴露的钢板。曝光是紫外光的照射，并且光的吸收由能量分解成自由基和自由基通过光引发剂，然后将聚合反应和非聚合的单体的交联被引发，并在反应后它是不溶性和大分子稀碱性溶液。曝光通常是在一台机器，自动暴露表面执行，并且当前的曝光机根据光源，空气和水冷却的冷却方法分为两种类型。除了干膜光致抗蚀剂，曝光成像，光源选择，曝光时间（曝光）控制，并且主光的质量是影响曝光成像的质量的重要因素。
由于华为只有在这个阶段，在集成IC设计阶段参与，它不具备生产集成的IC的能力。应当理解的是，集成IC必须经过处理，诸如光刻，蚀刻，扩散，薄膜，并测量从概念设计到批量生产。在光刻技术环节，集成IC制造商必须使用光刻机的核心专用设备目前由ASML垄断。
生成的Cu2cl2小溶于水，在有过最CL存在的情况下，这种不溶于水的Cu2cl2和过量的Cl形成络合离子脱离被蚀刻铜表面，使蚀刻过程进行完全。其反应式如下：
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