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天河拉丝不锈钢蚀刻技术
一个优秀的科研队伍是关键因素。之后尹志尧回到中国，他开始从65纳米到14/10/7海里带领球队追赶，并迅速赶上其他公司以迅雷不及掩耳的速度。在尹志尧的领导下，中国微半导体完成了既定的目标提前实现。
H 3 PO 4 + Na0H = NaH2P04 + H 2 O <2级> CH3C00H + Na0H = CH3C00Na + H 2 O NaH2P04 + Na0H =磷酸氢二钠+ H 2 O另外，在本发明的上述的蚀刻方法，蚀刻重复使用的溶液的测量的不包括用于在金属离子蚀刻的蚀刻方法中，优选在所述第二分析方法的蚀刻溶液用于蚀刻硝酸，磷酸和醋酸的浓度和金属。
我公司是中国半导体微，而且它也是在蚀刻机行业在中国的唯一领导者在这个阶段。据公开资料显示，中国微半导体成立于2004年。当时，美国，像现在，从进口控制蚀刻机阻止中国。由于历史，中国在这一领域的技术储备是如此之小，半导体产业的发展和增长是非常困难的。
待蚀刻的金属，没有特别限制，但铝（A1），银，铜，或含有任意一种或多种这些金属作为主要成分的用Al或包含Al的合金的合金以及它们的合金是特别优选的。此外，主要成分在上述合金中的比例通常大于50？ ？重量，优选大于80？ ？正确。在另一方面，成分（其他成分）的量小的下限通常为0.1？重量。在蚀刻溶液中的磷酸的浓度通常大于0.1？ ？重，优选大于0.5？ ？重量，特别优选大于3？ ？重量，通常小于20？ ？重量，优选小于15？ ？是重量特别优选小于12？ ？重量，更优选小于8？ ？重量？越高硝酸浓度，更快的蚀刻速度。然而，当硝酸的浓度过高，形成氧化膜的金属的表面上被蚀刻，并且蚀刻速度降低的倾向。在感光性树脂（光致抗蚀剂）的蚀刻的金属会变差，而边缘蚀刻将增加。因此，酸浓度优选从上述范围内选择。
与此同时，我们还与大家一起分享这些基本蚀刻原则，使设计工程师能够设计时，结合这些基本原则，并有效地设计的产品能够被蚀刻：蚀刻工艺不能处理所有的图纸。也有一定的局限性。几个基本原则应注意设计图形时：1.蚀刻开口= 1.5×材料厚度，例如，尺寸：厚度为0.15mm。孔直径= 0.15x1.5 = 0.22？ 0.28毫米。如果您需要最小的孔，就可以打开喇叭孔，还看图纸的结构。 2.孔（也称为线宽度）和材料厚度之间的间隔为1：1。假设材料的厚度为0.15mm，其余的线宽度为约0.15毫米，当然，它也取决于产品的整体结构。因此，在设计产品时，设计工程师可以遵循的基本原则，但特殊情况进行了讨论。
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蚀刻技术和切割过程之间的不同之处在于蚀刻技术不会产生造成的激光切割废物的残留物。和蚀刻可改变材料的形状，但不是任何材料的特性。激光切割是不同的，这将在部件的边缘创建热影响区的相当大的宽度。
它可以吸附灰尘，所以静电必须被移除。静电消除之后，灰尘不会吸收产品。静电消除后，继续下一个步骤：喷涂敏感的油。喷涂清漆的感觉，主要是在制备预曝光（曝光），产品和致敏油喷雾的过程。在完成加油操作后，产品必须仔细检查。检查的目的是该制品是否燃料喷射过程中与油喷洒。不良现象，如残余油残基。当电路的所选产品，它将流入下一工序：感光（曝光）。
提示：如果在蚀刻工艺太深，提高传送带的速度：如果在蚀刻工艺太浅，降低传送带的速度。约3分钟后，我们可以得到在排出口的测试刻不锈钢板。尝试触摸蚀刻工艺的深度用我们的双手。如果手指感觉有点颠簸，此时的深度为0.1mm左右，你就可以开始正式的蚀刻工艺。