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干法蚀刻也是目前的主流技术蚀刻，这是由等离子体干法蚀刻为主。光刻仅使用上的图案的光致抗蚀剂，但也有是在硅晶片上没有图案，所以干蚀刻等离子体用于蚀刻硅晶片。
EDM穿孔，也称为电子冲压。对于一个小数量的孔，例如：约2或5时它可以被使用，它主要用于诸如模塑操作，不能大量生产。根据不同的材料和不同的蚀刻处理的要求，该化学蚀刻方法可以在酸性或碱性蚀刻溶液进行选择。在蚀刻工艺期间，无论是深蚀刻或浅蚀刻，被蚀刻的切口基本相同，横向蚀刻在子层与所述圆弧的横截面形状进行测定。只有当蚀刻过程是从入口点远离将一个“直线边缘”的矩形横截面在行业形成。为了实现这一点，在一段时间后，该材料已被切割并蚀刻，使得所述突出部可被完全切断。它也可以从这个看出，使用化学方法精密切割只能应用于非常薄的金属材料。的能力，以化学蚀刻以形成直的部分取决于所使用的蚀刻设备。和在处理方法中，使用这种类型的设备是一个恒定压力下的通常的喷雾装置，并且蚀刻喷射力将保证暴露于它的材料将迅速溶解。溶解也被包括在所述圆弧形状的中心部分。以下是蚀刻的金属也是非常重要的是具有强腐蚀性兼容。蚀刻剂的强度，喷雾压力密度，蚀刻温度，设备的传输速率（或蚀刻时间）等。
在该图所示的蚀刻装置。 1主要由蚀刻罐（1），分析装置（2），硝酸/磷酸循环泵/乙酸浓度分析装置（3），一个新的乙酸箱（5），和新的乙酸供给泵（ 6）中，加热在所述装置（7）中，蚀刻终止废液清除管线（9），新的蚀刻溶液（浓度调整磷酸/硝酸/乙酸），的引入线（10）（11）搅拌装置，新的蚀刻液罐（15），一个新的蚀刻液供给泵（16）形成。另外，在上述分析装置的装置（3）中的乙酸浓度的输出信号（8）被接收，以控制新鲜乙酸溶液的供给量。另外，从分析装置的装置（3）的蚀刻废液去除调整输出信号（12）被接收，以控制蚀刻液去除量。即，首先，蚀刻停止溶液通过蚀刻停止废液移除管线（9）的蚀刻罐（1）。 ）吸入。 ）酸当量浓度的必要量成比例的差值。然后，将新的蚀刻液导入信号（14）（13）从液位计接收和在用于供给来自新蚀刻液导入线（10）一个新的蚀刻溶液的蚀刻槽（1）中设置，并返回到指定的电平是在蚀刻槽（1）。该对象将被蚀刻（4）浸渍于以合适的方式在蚀刻槽（1）的蚀刻液。总之，硝酸和磷酸可以被提供有对应于等效铝当量溶解在酸成分的降低的铝浓度。此外，它也被认为通过使用酸或其它组分，如乙酸，这是由单独的一个被移除的，以提供新的蚀刻液的补充供应来提供。此外，通过周期性地提取所述的蚀刻溶液的一部分，在该蚀刻溶液中的硝酸的摩尔数的增加，也可以调整。因此，可以在不更换蚀刻溶液的全部量进行连续蚀刻。溶解在蚀刻溶液中的铝浓度可以在蚀刻浴（1）的外部进行分析，或从被处理物的量的质量平衡估计的值将被蚀刻（4），或它可用于等
其中：A是侧蚀刻量（mm），H是蚀刻深度（mm）; F是侧蚀刻速度或腐蚀因子，用于表达侧蚀刻量和不同条件下的蚀刻深度之间的关系。电弧R的尺寸有很大的影响通过蚀刻深度，这是蚀刻窗的最小宽度时，蚀刻溶液的比例，蚀刻方法的组合物，以及材料的类型。侧面蚀刻的量决定化学蚀刻的精确性。较小的侧蚀刻，加工精度，和更宽的应用范围。相反，处理精度低，以及适用的范围是小的。
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究其原因，成立中国微半导体的是，美国当时进行了技术禁令对我国和限制蚀刻机对我国的出口。因此，中卫半导体不得不从最基础的65纳米刻蚀机启动产品的研究和开发。然而，11年后，中国微半导体公司的蚀刻机已经赶上流行的制造商和美国也解除了对我国的潘基文的刻蚀机的技术在2016年。
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