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应力（拉伸应力或内应力）和腐蚀性介质的这种组合被称为SCC。所述SCC的特征是腐蚀机械开裂，其可以沿晶界或沿通过扩散或发展开发颗粒形成。因为裂纹的扩展是金属的内部，所述金属结构的强度大大降低，并且在严重的情况下，可能会出现突然损坏。在蚀刻工艺期间暴露的原理的简要分析：预先定位件和工件需要被暴露于光，所述图案转印到所述膜的表面通过喷涂被蚀刻到两个相同的薄膜光或通过光刻法转移到二。相同的玻璃膜。
在紫铜的微量杂质对铜的导电和导热性造成严重影响。其中，钛，磷，铁，硅等显著降低导电性，而镉，锌等的影响不大。氧，硫，硒，碲等具有在铜小的固体溶解度，并能与铜，其具有对导电性的影响很小脆性化合物形成，但是可以减少处理的可塑性。当普通红铜在含氢气或一氧化碳，氢或一氧化碳的还原性气氛中加热很容易降低到在晶界氧化亚铜（氧化亚铜）的相互作用时，可产生高压水蒸汽或二氧化碳气体，这可以破解铜。这种现象通常被称为铜的“氢病”。氧气是有害的铜的可焊性。铋或铅和铜形成低熔点共晶，这使得铜热和变脆;并且当脆性铋分布在薄膜的晶界，这也使得铜冷而脆。磷能显著降低铜的导电性，但它可以增加铜液的流动性，提高可焊性。铅，碲，硫等的适当量可以提高切削性。退火的铜板材的室温拉伸强度为22-25千克力/平方毫米，并且伸长率为45-50？和布氏硬度（HB）是35?45。
张光华，在IC行业的电子工程师：“一两年以前，有互联网，中国微电子开发出了5纳米刻蚀机上的报告如果它可以应用到台积电，它表明中国微电子已经达到世界领先水平，但它是一个夸张地说，中国的chip'overtaking曲线”向上的“。
在该图所示的蚀刻装置。 1主要由蚀刻罐（1），分析装置（2），硝酸/磷酸循环泵/乙酸浓度分析装置（3），一个新的乙酸箱（5），和新的乙酸供给泵（ 6）中，加热在所述装置（7）中，蚀刻终止废液清除管线（9），新的蚀刻溶液（浓度调整磷酸/硝酸/乙酸），搅拌装置的引入线（10）（ 11）中，新的蚀刻液罐（15），一个新的蚀刻液供给泵（16）构成。另外，在上述分析装置的装置（3）中的乙酸浓度的输出信号（8）被接收，以控制新鲜乙酸溶液的供给量。另外，从上述分析装置的装置（3）的蚀刻废液去除调整输出信号（12）被接收，以控制蚀刻液去除量。即，首先，蚀刻停止溶液通过蚀刻停止废液移除管线（9）的蚀刻罐（1）。）吸入。 ）成比例差的必要量的酸当量浓度。然后，将新的蚀刻液导入信号（14）（13）从液位计接收和在用于供给来自新蚀刻液导入线（10）一个新的蚀刻溶液的蚀刻槽（1）中设置，并返回到指定的电平是在蚀刻槽（1）。该对象将被蚀刻（4）浸渍在以适当的方式在蚀刻槽（1）的蚀刻液。总之，硝酸和磷酸可以被提供有对应于等效铝当量溶解在酸成分的降低的铝浓度。此外，它也被认为通过使用酸或其他组件，如乙酸，这是由一个单独的移除，以提供新的蚀刻溶液补充供应来提供。此外，通过周期性地提取所述的蚀刻溶液的一部分，在该蚀刻溶液中的硝酸的摩尔数的增加，也可以调整。因此，能够在不更换蚀刻溶液的全部量进行连续蚀刻。溶解在蚀刻溶液中的铝浓度可以在蚀刻浴（1）的外部进行分析，或从被处理物的量的质量平衡估计的值将被蚀刻（4），或它可用于等
感光性粘接剂或抗蚀剂层干膜均匀涂覆在干净的铜包覆板，并根据曝光，显影，固体膜和感光板的蚀刻处理中获得的电源电路的图像。的膜被去除之后，它经历了必要的机械加工和制造过程，最后将表面涂层进行，包装印刷文字和记号成为成品。这种类型的处理技术的特点是高精密的图形和制造周期短的时间，这是适合于大量生产和各种类型的制造。
这种方法通常被用于蚀刻，这是美观：激光蚀刻是无压，所以没有痕迹留在要加工的材料;不仅有压痕明显的压力敏感的痕迹，但它很容易脱落。在蚀刻过程中的各种化学组成的金属部分组成的蚀刻溶液。在室温下或加热一段时间后，金属需要被蚀刻以达到期望的蚀刻深度和缓慢溶解，使得金属部分示出了形成所述装饰字符或图案的表面上的装饰三维印象。
根据台积电的工艺路线，在5纳米工艺将试制在2020年Q3季度，和EUV光刻技术将在这一代过程中得到充分应用。除光刻机，蚀刻机也是在半导体工艺中不可缺少的步骤。在这个领域，中国半导体设备公司也取得了可喜的进展。中国微半导体的5nm的刻蚀机已进入台积电的供应链。
首先，将摩尔，使用50ml水，并中和滴定上述混合酸溶液/升的氢氧化钠溶液，以测量所述混合酸溶液中的总酸当量稀1克到1次。总酸当量为15.422毫当量。然后，减去硝酸（2）和由式（1）中得到的磷酸的酸当量的总酸当量的上述总和找到乙酸的当量。乙酸的当量重量为15.422-（2.365 + 12.224）= 0.833（毫当量）。然后，乙酸浓度从乙酸的当量计算。乙酸的浓度为0.833（毫当量）。 X0.06005X 100 = 5.0？ ？对。这里，0.06005是1毫升氢氧化钠相当于1摩尔/乙酸的L中的量（g）。此外，在总酸当量测得的CV值为0.04·R
在本发明的蚀刻方法中，酸成分的浓度由下面的式（1）被反复使用的浓度之前指定的，并且有必要调整测量结果以浓度。另外，在本发明中，硝酸和/或磷酸蚀刻被添加到蚀刻对应于该浓度的优选实施例蚀刻液的酸成分前调节到相同值的蚀刻溶液。硝酸浓度和蚀刻溶液的磷酸浓度后述优选通过定量分析法测定的。 “
干法蚀刻具有广泛的应用范围。由于其强大的蚀刻方向，精确的工艺控制，为方便起见，没有脱胶，无损伤和污染到基底上。
然而，在实际工作中，一些典型的流程进行处理。这个过程是圆的。例如，在蚀刻该图案化的铜合金的过程中，它也是制造耐腐蚀层本身的过程，但是在图案的整个铜合金的蚀刻，仅存在一个制造工艺的腐蚀和热耐磨层，其蚀刻整个模式过程。 。之一。随着处理包括至少两个或多个处理步骤，处理流程的组合物是显而易见的。处理的流程的方法被确定并包括在该过程中的处理步骤。对于过程的进一步解释，你可以从下面的描述中学习。从一个过程点，规模取决于产品，它是简单的和复杂的尺寸和复杂性。它的范围从飞机，火箭到洲际弹道导弹，并在普通的民用产品，如电视机，音响和手机制造过程中大型船舶。不同的产品有不同的要求和不同的工艺规范。这里的区别在于不同的技术标准，人们通常所说的实现。不同的技术标准，该产品主要由原材料，加工方法和支持管理系统保证。用于生产产品的技术标准并非基于生产和加工方法，也不是一个采购订单。它提出的产品技术指标，这些产品在生产加工和数学模型的形式。原则上，仅存在一个可被应用到产品，其中，每个过程与制造兼容的数学模型，否则会造成产品故障或过度产品成本。在产品制造过程中，很少是由一个典型的方法来完成。无论是大型复杂产品或一个小而简单的产品，它包括至少两个或更多的典型方法。并且每个典型过程不能由一个过程，而且还与organic_L-两个或两个过程结合起来。一个简单的过程可以由几个过程，和一个复杂的过程可以由许多过程。对于复杂的过程中，为了方便管理，密切相关的过程可以减少到一个进程，然后这些进程构成处理。