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最早的蚀刻技术是运用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻掩盖的部分，而抵达蚀刻的目的，这种蚀刻方法也便是所谓的湿式蚀刻。由于湿式蚀刻是运用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应自身不具方向性，因而湿式蚀刻进程为等向性，一般来说此方法不足以界说3微米以下的线宽，但对于3微米以上的线宽界说湿式蚀刻依然为一可挑选选用的技术。
湿式蚀刻之所以在微电子制作进程中被广泛的选用乃由于其具有低本钱、高可靠性、高产能及优胜的蚀刻挑选比等长处。但相对于干式蚀刻，除了无法界说较细的线宽外，湿式蚀刻仍有以下的缺点：1) 需花费较高本钱的反应溶液及去离子水；2) 化学药品处理时人员所遭受的安全问题；3) 光阻附着性问题；4) 气泡构成及化学蚀刻液无法彻底与晶圆表面触摸所构成的不彻底及不均匀的蚀刻；5) 废气及潜在的爆炸性。
湿式蚀刻进程可分为三个进程：1) 化学蚀刻液分散至待蚀刻材料之表面；2) 蚀刻液与待蚀刻材料发作化学反应； 3) 反应后之产物从蚀刻材料之表面分散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个进程中进行最慢者为速率控制进程，也便是说该进程的反应速率即为整个反应之速率。
大部份的蚀刻进程包含了一个或多个化学反应进程，各种形状的反应都有可能发作，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此重复进行以抵达蚀刻的效果。如蚀刻硅、铝时便是运用此种化学反应方法。
湿式蚀刻的速率通常可藉由改动溶液浓度及温度予以控制。溶液浓度可改动反应物质抵达及脱离待蚀刻物表面的速率，一般来说，当溶液浓度增加时，蚀刻速率将会前进。而前进溶液温度可加速化学反应速率，进而加速蚀刻速率。
除了溶液的选用外，挑选适用的屏蔽物质亦是十分重要的，它有必要与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的腐蚀且安稳而不蜕变。而光阻通常是一个很好的屏蔽材料，且由于其图案转印进程简略，因而常被运用。但运用光阻作为屏蔽材料时也会发作边沿剥离或龟裂的景象。边沿剥离乃由于蚀刻溶液的腐蚀，构成光阻与基材间的黏着性变差所致。处理的方法则可运用黏着促进剂来增加光阻与基材间的黏着性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龟裂则是由于光阻与基材间的应力差异太大，减缓龟裂的方法可运用较具弹性的屏蔽材质来吸收两者间的应力差。