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他还表示，芯片制造的整个过程需要复杂的技术，和我的国家现在是最落后西方发达国家的过程。为什么这么说？

蚀刻精度通常是直接关系到该材料的厚度，并且通常是成比例的。例如，当厚度0.1毫米的材料的蚀刻精确度为+/-0.01毫米，材料的厚度0.5毫米的蚀刻精确度为+/-0.05毫米，和所使用的材料的蚀刻精度为1 / -0.1毫米。

金属冲压工艺的特点：高模具成本，很长一段时间，精度低，成本低，并且大批量;金属蚀刻工艺的特征：低样品板成本，交货快，精度高，并且大量生产成本超过冲压高。的化学反应，或使用金属的，能够从物理冲击除去腐蚀性的物质。蚀刻技术可分为两种类型：“湿蚀刻”（湿蚀刻）和“干蚀刻”（干蚀刻）。

它可以被想象为垂直硅晶片上大雨，没有光致抗蚀剂保护的硅晶片将待轰击，这相当于在硅晶片中的孔或槽挖，和光致抗蚀剂可以是完成蚀刻后的湿。洗去，所以你得到一个图案的硅晶片。

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(2)cu+含量对蚀刻速度的影响：随着蚀刻过程的进行，溶液中Cu+浓度会逐渐增大。少量的Cu+就能明显减慢蚀刻速度。如在每升120g cu2+蚀刻液中有4gcu+就会显著降低蚀刻速度。所以在蚀刻过程中要保持cu+的含量在一个较低的浓度范围内。并要尽呵能快地使cu。氧化成cu“，也正凶为这样，才使得酸性cucl：的蚀刻液的普遍使用受到一定跟制。

侧蚀产生突沿。通常印制板在蚀刻液中的时间越长，侧蚀越严重。侧蚀严重影响印制导线的精度，严重侧蚀将使制作精细导线成为不可能。当侧蚀和突沿降低时，蚀刻系数就升高，高的蚀刻系数表示有保持细导线的能力，使蚀刻后的导线接近原图尺寸。电镀蚀刻抗蚀剂无论是锡－铅合金，锡，锡－镍合金或镍，突沿过度都会造成导线短路。因为突沿容易断裂下来，在导线的两点之间形成电的桥接。

如有必要，从涂覆的图案除去的蚀刻表面，只留下未处理的表面作为掩模，然后执行光刻或酸洗操作，或执行喷砂使被腐蚀的表面均匀且有光泽。

中国芯片突然抛出了“博王”，在5纳米刻蚀机是成功的，而特朗普不能切断电源！大家都知道，一个芯片需要经过许多环节，真正面对市场。设计，生存和取出是必不可少的。该核心技术，这是光刻机。有世界上唯一的7纳米光刻机的屈指可数。 AMSL被公司垄断，甚至成了非卖品项一会儿！中国的芯片突破至5nm，蚀刻机屡屡得手。一切都太快了。虽然特朗普限制中国的技术公司，杭州国继续实现技术突破。看来，削减供应只会让我们变得更加强大。你怎么看？

在蚀刻工艺期间，存在除了整体蚀刻方法没有防腐蚀处理。我们一定要注意防腐蚀层，这就是我们常说的下侧的耐腐蚀性的“蔓延”。底切的大小直接相关的图案的准确度和蚀刻线的极限尺寸。一般地，抗腐蚀层下的横向蚀刻宽度A被称为侧蚀刻量。侧蚀刻量A的蚀刻深度H之比的蚀刻速率F侧：

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