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在蚀刻工艺期间的曝光原理简要分析：预先定位膜和工件需要被感光，并且图案被转印到薄膜蚀刻成两个相同的膜的表面，以通过光被喷雾，或通过光刻法被转移到两个相同的玻璃膜。

数控雕刻;由雕刻部接收到的刀模的粗加工后，它被放置在机器上用于目视检查和后处理。由于在大小和模具的工具线困难的差，生产时间是不同的。一般模具模型是1-4小时，尤其是它需要超过8小时和24小时以上，以完成数控加工。完成后，班长检查，确定有被发送到QC之前没有问题。

因此，磷酸的中和曲线通常具有第一拐点和第二拐点，并且所述第二拐点是中和滴定的终点。第一拐点后，当溶液的pH值变高，从该金属的金属离子被蚀刻沉淀为金属氢氧化物。在此沉淀物的影响下，中和滴定的精度很低，和磷酸的浓度不能被精确地测量。因此，如果滴定量直到第一拐点被加倍为滴定量直至第二拐点和磷酸的浓度进行计算，因为磷酸的浓度不受硝酸的浓度，磷酸的浓度可以高精确度进行量化。

铜铜是工业纯铜。其熔点为1083℃，不存在同素异形变化，并且相对密度为8.9，这是五倍镁。这是约15？ eavier比普通钢。它有一个玫瑰红的颜色，并且当所述表面上形成的氧化膜，它通常被称为红色铜和是紫色的。

1。化学蚀刻方法，其使用强酸或强碱来接触药液，这是目前最常用的方法，直接腐蚀未保护的部分。的优点是，蚀刻深度可以深或浅，并且蚀刻速度快。缺点是耐腐蚀液体有很大的对环境的污染，尤其是蚀刻液不容易恢复。而且在生产过程中是危害工人的健康。

在17世纪后期，人们已经开始使用蚀刻技术来测量的测量工具的规模。作为一种工具，它已经从以前的作品的处理不同。它需要它的产品，这需要蚀刻技术，以达到一定的批量产品。质量的高稠度的一致性要求的规范来精确定义各处理过程的要求。因为生产批次的横向测量工具不是均匀相互校准，产生的测量工具将变得毫无意义。

晶片被用作氢氟酸和HNO 3，和晶片被用作氢氟酸和NH4F氧化硅硅：蚀刻剂的选择是根据不同的加工材料确定，例如。当集成电路被化学蚀刻，被蚀刻的切口的几何形状是从几何切穿在航空航天工业的化学蚀刻没有什么不同。然而，它们之间的蚀刻深度差异是几个数量级，且前者小于1微米。然后，它可以达到几毫米，甚至更深。

蚀刻过程和侧面腐蚀的准确度：在蚀刻过程中，除了整体蚀刻方法，没有防腐蚀处理。我们一定要注意防腐蚀层。在蚀刻“传播”的问题，也就是我们常说的防腐蚀保护。侧腐蚀的尺寸直接相关的图案的准确度和蚀刻线的极限尺寸。在一般情况下，具有宽度A横向蚀刻抗腐蚀层被称为横向蚀刻量。侧蚀刻量A的蚀刻深度H之比为侧蚀刻率F：F = A / H，其中：A是侧蚀刻量（mm），H是蚀刻深度（mm）; F是侧蚀刻速度或腐蚀因子，它是用来表示蚀刻量和上侧不同条件下的蚀刻深度之间的关系。

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