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高埗蚀刻加工什么是CMP
CMP 是哪三个英文单词的缩写？
Chemical Mechanical Polishing (化学机械研磨)
CMP是哪家公司发明的？
CMP是IBM在八十年代发明的。
简述CMP的工作原理？
化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力， 用化学研磨液(slurry)来研磨的。
为什幺要实现芯片的平坦化？
当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管，要使这些晶体管能够正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流，这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这幺多的晶体管连接起来，平面布线是不可能的，只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中，层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化，使多层布线成为了可能。
CMP在什幺线宽下使用？
CMP在0.25微米以下的制程要用到。
什幺是研磨速率（removal rate）?
研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。
研磨液(slurry)的组成是什幺？
研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles)，以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。
为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove)？
研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布，使得研磨后芯片上的膜厚达到均匀。
为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning)?
研磨垫在研磨一段时间后，就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。
什幺是blanket wafer ？什幺是pattern wafer ？
blanket wafer 是指无图形的芯片。pattern wafer 是指有图形的芯片。
Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate会一样吗？
一般来说，blanket wafer 与pattern wafer的removal rate是不一样的。
为什幺Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate会不一样？
Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate不一样是由于pattern wafer上有的地方高，有的地方低，高的地方压强(pressure)大，研磨速度大（回想Preston关系式）。而且， 总的接触到研磨的面积要比Blanket wafer接触到研磨的面积要小，所以总的压强大，研磨速度大。
在研磨后，为什幺要对芯片进行清洗？
芯片在研磨后，会有大量的研磨颗粒和其它一些残留物留在芯片上，这些是对后面的工序有害，必须要清洗掉。
CMP (process tool) 分为几类？
对不同膜的研磨，CMP分为Oxide, W, Poly, Cu CMP等。
CMP常见的缺陷（defect）是什幺？
CMP常见的缺陷有划伤(scratch), 残留物(residue), 腐蚀（corrosion）.
W Remove Rate 用什幺方法来测？
W是指Tungsten (钨), remove rate是指化学机械研磨速率，即单位时间内厚度的变化。由于钨是不透光的物质，其厚度的测试需由测方块电阻(sheet resistance or Rs)的机台来测量。