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根据不同的材料和不同的刻蚀要求，可以选择酸性或碱性刻蚀溶液进行化学刻蚀。在刻蚀过程中，无论是深刻蚀还是浅刻蚀，刻蚀切口基本相同，横向刻蚀和圆弧的横截面形状可测量。那么如何才能做到高精度的金属蚀刻呢？
溢格发现仅当蚀刻工艺继续远离切入点时，才会形成在工业上成为“直边”的矩形截面。为了实现该步骤，需要在材料被切穿之后蚀刻一段时间，以便可以完全切去突出部分。由此可见，通过化学方法的精确切割只能应用于厚度非常薄的金属材料。
化学刻蚀使横截面形成直边的能力主要取决于刻蚀中使用的设备。此类设备中常用的加工方法均具有恒定压力的喷涂装置，蚀刻的喷涂力将确保所暴露的材料迅速溶解，并且这种溶解还包括圆形中心的突出部分。前面提到过。
在此，适用于被腐蚀金属的强腐蚀剂也非常关键。蚀刻剂的强度，喷射压力机的密度，蚀刻温度，设备的传送速度（或蚀刻时间）等。这五个要素在金属蚀刻中药非常匹配，这样才可以在短时间内将中央突出部切掉成为大致笔直的一侧，从而可以实现更高的蚀刻精度。
在照相防腐蚀技术的化学蚀刻过程中，比较精确的一种用于处理集成电路的各种薄层J硅晶片，并且凹口的几何形状尺寸也非常小。为了确保在蚀刻过程中半导体元件不受任何影响，所使用的各种化学药品，例如各种清洁剂和各种腐蚀剂，是非常高纯度的化学试剂。
蚀刻剂的选择根据不同的处理材料来确定，例如，氢氟酸和HNO 3用于硅晶片，氢氟酸和NH 4 F用于氧化硅晶片。当通过化学蚀刻处理IC时，蚀刻切口的几何形状与航空航天业中的化学蚀刻切口的几何形状没有什么不同。然而，它们之间的蚀刻深度存在几个数量级的差异，并且前者的蚀刻深度小于1μm，可以达到几毫米甚至更深。
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